BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料

    BAS21LT1G分立半导体产品压力超过最大额定参数可能损坏设备。最大评级是压力评级。以上推荐的功能操作操作条件不是暗示。接触压力高于延长推荐的操作条件可能影响设备的可靠性。

    安装在FR5 = 1.0 x 0.75 x0.062。
    BAS21LT1G分立半导体产品特性
    这些设备是Pb免费,无卤素/ BFR自由和RoHS兼容的
    BAS21LT1G分立半导体产品参数
    产品型号:bas21lt1g
    最小反向电压vr(v):250
    最大反向漏电流ir(?a):0.100
    正向恢复电压vf最小值(v):－
    正向恢复电压vf最大值(v):1
    最大二极管电容ct(pf ):5
    反向恢复时间trr(ns):50
    类型:单开关管
    封装/温度(℃):sot-23/-55~150
    BAS21LT1G分立半导体产品最大额定参数

    x = P,R、S
    P = BAS19LT1
    R = BAS20LT1
    S = BAS21LT1或BAS21DW5T1
    M =日期代码
    = Pb免费包
    2
    3.
    Jx米
    1
    3.
    1 2 3
    5个4

    日期代码取向和/或overbar可能会有所不同根据制造业的位置。
    订购信息
    在包看到详细的订购和配送信息本数据表的第4页尺寸部分。
    注:1。正向电流的2.0 k调整可变电阻器(如果)30 mA。
    注:2。调整输入脉冲红外(峰值)等于30 mA。
    注:3。tp?trr

BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料

BAS21LT1G分立半导体产品的那些中文资料