SI2301CDS-T1-GE3场效应管的特性都有哪些？

    SI2301CDS-T1-GE3场效应管描述：P通道20-V（D-S）的MOSFET；
    SI2301CDS-T1-GE3场效应管特性
    无卤选择
    TrenchFET功率MOSFET
    应用程序
    负荷开关

    SI2301CDS-T1-GE3场效应管参数
    P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V
    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
    FET 功能：标准
    漏源极电压（Vdss）：20V
    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A（Tc）
    不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：405pF @ 10V
    功率 - 最大值：1.6W
    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型：表面贴装
    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
    供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
    SI2301CDS-T1-GE3场效应管特点
    SI2301CDS-T1-GE3，采用TO-236-3封装方式。
    制造商:Vishay
    产品种类:MOSFET小信号
    RoHS:是
    配置:Single
    晶体管极性-Channel
    汲极/源极击穿电压:20V
    闸/源击穿电压:+/-8V
    漏极连续电流:2.3A
    功率耗散:860mW
    最大工作温度:+150C
    安装风格:SMD/SMT
    封装/箱体:TO-236-3
    封装:Reel
    最小工作温度:-55C
    StandardPackQty:3000、
    注:
    a.一个基于TC。=25°C。
    b.表面安装在1x1”FR4板。
    c.t=5s。
    d.在稳态条件下最大是175°C/W。
    注:
    一个脉冲测试;脉冲宽度≤300?s,工作周期≤2%。
    b。通过设计,保证不受生产测试。
    强调除了那些列在“绝对最大额定值”可能会造成永久性损坏设备。这些都是压力评级,和功能操作设备的在这些或任何其他条件的操作部分超过规范并不暗示。暴露于绝对最大评级条件长时间可能影响设备的可靠性。

SI2301CDS-T1-GE3场效应管的特性都有哪些？

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