STB3NK60ZT4的特征描述

    STB3NK60ZT4描述：N沟道600V-3.3ohm-2.4ATO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK齐纳保护；
    STB3NK60ZT4特征
    典型RDS(上)= 3.3
    极高的dv / dt的能力
    100%雪崩测试
    门费用最小化
    非常低的内在的功放
    很好的生产

    STB3NK60ZT4描述
    的SuperMESH系列获得通过极端的优化建立stripbased圣的好PowerMESH布局。
    除了推导通电阻明显下降,特别注意以确保很好的dv / dt能力最苛刻的应用程序。这种系列的补充圣全系列高压mosfet包括革命MDmesh产品。
    STB3NK60ZT4应用程序
    高电流、高速切换
    适合离线电源
    适配器和PFC
    照明
    GATE-TO-SOURCE齐纳二极管的保护特性
    内置的背靠背稳压二极管不仅专门设计来提高设备的防静电功能,但是也可能让他们安全地吸收电压瞬变,偶尔会从这门应用到源。
    在这方面,齐纳电压是实现一个有效的和适当的具有成本效益的干预,以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免外部组件的使用。
    STB3NK60ZT4注意:
    1.脉冲,脉冲持续时间= 300?s,占空比1.5%。
    2.脉冲宽度限制安全操作区域。
    3.输出电容eq.被定义为一个常数等效电容给输出电容的充电时间当VDS公司增加从0到80%vds公司。

STB3NK60ZT4的特征描述