求教 关于双口ram的数据缓存

菜鸟自学，咋也写不好，好晕啊，请大侠帮帮忙，先谢谢啦~~O(∩_∩)O~
verilog编程，系统需要在adc_control信号的低电平时期将三个ADC传来的数据缓写入FPGA，各个ADC传送512byte×8位的数据，再在adc_control信号的高电平时期由USB依次读出，因为要硬件控制读取的数据个数，所以我需要用双口RAM进行数据缓存，不能使用FIFO。
我用IP核定制了三个ram，分别是myram11，myram12，myram13
adc_control就是ram的wren写使能信号吗？
（1）这样写入正确吗 ： myram11 myram11（clk，ram_data_in1，，ram_wr_addr11，adc_control）/*让读地址空着？定制时没有注明wren是高电 平触发还是低电平触发，怎么表示adc_control低时才写数据？ram_wr_addr11是写地址，需要外部输入，我应该在例化外部再编写它的计数器程序，让它一直加到512吗？*/
（2）如果  myram11[ram_wr_addr11]<=ram_data_in1;
         ram_wr_addr11<=(ram_wr_addr11==511)?0:ram_wr_addr11+1'b1;
这样写是不是就变成了FIFO？

有点混乱
双口RAM不是应该有两个地址输入么？
myram11 myram11（clk，ram_data_in1，ram_wr_addr11，adc_control），这么看你定义的应该是单口的，一般写是高有效，如果要低有效做个反就行