二者有相似之处也有相异特点

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过 DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍 比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一 步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。因此，我们在选择显卡和判断显卡性能上就有所见地了。
DDR3内存与GDDR3显存的区别
很多人谈论到DDR3内存时，总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。

一、GDDR2显存的换代产品GDDR3

GDDR3 是GDDR2显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方，GDDR3采用的是单端设 计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术（pseudo-open drain）。和GDDR2一样，GDDR3采用了1.8V电压标准。

GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR 3需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。

二、DDR2内存的换代产品DDR3

DDR3 相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高 能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从 1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3 内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当 DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品， 初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线 的负担。此外，DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

在 性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存带宽大幅 提升，功耗表现也好了很多。　　　
DDR3内存与GDDR3显存的区别
很多人谈论到DDR3内存时，总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。

一、GDDR2显存的换代产品GDDR3

GDDR3 是GDDR2显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方，GDDR3采用的是单端设 计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术（pseudo-open drain）。和GDDR2一样，GDDR3采用了1.8V电压标准。

GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR 3需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。

二、DDR2内存的换代产品DDR3

DDR3 相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高 能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从 1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3 内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当 DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品， 初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线 的负担。此外，DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

在 性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存带宽大幅 提升，功耗表现也好了很多。

fsb与cpu有关 cpu就决定了fsb频率的大小 与主板无关（主板支持这个fsb频率的cpu才能插）
双通道 频率不变只是数据通信量增大一倍！比如ddr2 400 两 组成双通道 只要配合fsb400频率就
可以充分发挥机器效能
DDR400,333,266 它们除了频率上的区别外，还有延迟时间上的区别，DDR400的频率是最快的，达到了200MHZ（为什么是200MHZ，因为DDR内存是双倍速率随机 动态同步存储器的意思，所以DDR400是200乖以2得来的，那么换算过了，DDR400的实际频率就是200MHZ，333的实际频率是166 的，266的是133的，DDR2533的是266，DDR2667是333的，DDR2800的是400MHZ的。）但是DDR400也是DDR内存中 延迟最后的，一般的，速度快的内存，相对速度慢的内存延迟要高些。(一般情况频率高，延迟就大）从外观上看它们大致相同，但是也有一定的区别，这主要是从 与它们容量和速度相关的内存颗粒上看出的，256MB的内存不管是DDR几的，都是单面的，而512与512兆以上的，多半是两面都有颗粒的。还 有，DDR400的内存所使用的颗粒的速度是5NS的，而333的是6NS的，266的是7NS（一般是这样的）。其次还有电压和针脚定义的不同，还有封 装形式，大多是采用TSOP（薄型小尺寸封装）还有MBGA（微型栅格球形阵列封装）的。
DDR2与DDR的区别
与DDR相 比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实 现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存 取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然 而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容 的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的 2.5V不同。
内存频率与总线频率匹配问题： 最好匹配 发挥系统的性能
不是很明显
内存量增大 速度就明显增大
双通道提升性能（主要相对intel公司的平台）
同配置的2个1g内存在机器支持双通道情况下插
性能比1个2g内存插 要提高30%
双通道的性能
在INTEL平台和AMD平台上有明显的差别!而且在高低配置上影响力也不同!
比如说个,CPU用478的P4 2.8C 用上双通道 DDR 400 性能提升超过30%!
又如说现在AM2闪龙与754的闪龙用不用双通道,性能差别并不大!一般情况下,INTEL的平台和AMD的高端CPU双通道性能发挥得比较好点!
主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般4个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！(用主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般4个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！（用evest 芯片组那里 北桥 可以看出支持双通道吗？及现在是什么模式。还有支持内存种类）
everest里的主板里的spd中的 Bank （内存库） 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）
2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）
3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内
存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72
线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0
开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽
1、内存的实际运行频率取决于速度最慢的那根内存，也就是说667会跟着533走，实际是533。

2、对硬件的损害：基本上不存在，这个你放心！

3、两条比一条快的原因：内存容量的提升在你所运行的系统下的效率比提升总线频率的效率来的高！这是个非线性的模式，你再加多内存还会快，但加到某一定容量后就只能靠提升总线频率来获取更多效能，这个是由操作系统所需的内存容量来决定的。

4、 关于速度：533 与667 基本上肉眼分辨不出速度的差别，上面说过了，增加内存容量的效能往往比总线频率提升的效能来的快，我们看WINDOWS XP在128M和512M（其他配置相同）运行的情况下，512M内存明显快的原因就是XP系统正常运行的物理内存基本上要160-400M,而128明 显不足，需要通过在硬盘上形成虚拟内存来达到正常运行的效果，而512的就可以直接读取，不需要虚拟，这样简化了运行流程提升了效率，WINDOWS VISTA也同样，可能需要至少1G才可以跑的流畅，512就明显不足了。

当然，在相同操作系统下，同容量的内存下，总线频率高的占优势，但肉眼基本上分辨不出，效能也差不了太多。

5、关于双通道：这个INTEL更多的是在玩弄概念，这个则是他的卖点，目的是让更多的人来买，而非双通道能带来质的飞跃。这个效能比单通道的提升将近3%，而且要看运行的是什么软件，实际利用的意义不大。

今 天,英特尔战略部门经理Carlos Weissenberg在秋季英特尔信息技术峰会上表示,2009年年底之前,DDR3内存都不会全面取代DDR2内存.Weissenberg通过幻灯 片向与会人员解释说,在未来的16个月内,DDR2内存仍将占据内存市场的主导地位.随着低电压DDR3内存的不断问世,明年内DDR3内存会取得巨大的 发展.届时将出现电压为1.35V的DDR3内存,而目前DDR3内存的电压主要是1.5V.此后,DDR3内存在市场中的张力会越来越大.不过 Weissenberg也表示无法预测DDR3内存的价格何时才能够更平易近人。

尽管Weissenberg承认目前DDR3内存还不能 大范围普及,但他说英特尔始终认为DDR3取代DDR2是大势所趋."我们正在与内存供应商进行合作,以推动DDR2更快向DDR3过 渡."Weissenberg表示,"我们未来的芯片组都将只支持DDR3内存,Nehalem处理器架构也是如此."

同时,参加本次IDF的奇梦达(Qimonda)资深市场总监Tom Trill也表示赞同英特尔的观点,并且他还在IDF上展示了奇梦达关于制造16GB和32GB DDR3内存的发展规划.

虽 然DDR3离我们绝大多数人还很遥远,但是DDR3内存的继任产品DDR4却已经被列入英特尔和奇梦达未来的发展蓝图中.Tom Trill预测,第一批DDR4内存有望在2012年问世,其总线频率约是2133MHz,运行电压是1.2V.同时他还预测,2013年应该可以看到 2667MHz、1.0V的DDR4内存产品.