运算放大器和仪表放大器RFI整流灵敏度测试

运算放大器和仪表放大器RFI整流灵敏度测试
　　几乎所有的仪表放大器和运算放大器输入级都采用某种类型的射极耦合BJT或源极耦合FET差分对。根据器件工作电流、干扰频率及其相对幅度，这些差分对可以像高频检波器一样工作。检波过程会在干扰的谐波频谱成分上产生噪声，同样也会在直流分量上产生噪声！从干扰中检测到的直流成分会转换放大器偏置电平，导致结果不准确。
　　运算放大器和仪表放大器中的RFI整流效果可以通过相对简单的测试电路来评估，如RFI整流测试配置中所述。在这些测试中，运算放大器或仪表放大器增益配置为–100（运算放大器）或100（仪表放大器），直流输出在100 Hz低通滤波器后测量，以防来自其它信号的干扰。测试激励选用100 MHz、20 mVp-p信号，远高于测试器件的频率限制。操作时，测试可以评估存在激励时观察到的直流输出偏移。该测量的理想直流偏移为零，给定器件的实际直流偏移表示相对RFI整流灵敏度。采用BJT和FET技术的器件都可以通过该方法来测试，因为这些器件在高低电源电流水平下都可以工作。
　　在原始运算放大器测试中，有些FET输入器件的输出电压不具有可观察的偏移，而其它有些器件则表现出小于10 μV的偏移（折合到输入端）。在BJT输入运算放大器中，偏移量会随着器件电源电流的增加而减小。只有两款器件不具有可观察的输出电压偏移，其它器件的偏移则小于10 μV（折合至输入端）。可想而知，其它运算放大器在接受此类测试时也会表
　　现出类似模式。
　　通过这些测试，可以概括出RFI整流的一些特点。首先，器件耐受性似乎与电源电流成反比，也就是说，在低静态电源电流下偏置的器件具有最高的输出电压偏移。其次，具有FET输入级的IC似乎比具有BJT的IC不易受整流影响。注意，无论是运算放大器还是仪表放大器，这些特点都是独立的。实际上，这意味着低功耗运算放大器或仪表放大器更易受RFI整流影响。而且，FET输入运算放大器（或仪表放大器）更不易受RFI整流的影响，在较高电流下工作时尤为如此。
　　根据上述数据和BJT与FET的基本差异，我们可以总结一下之前了解的内容。双极性晶体管效应受正偏PN结（基极-发射极结）的控制，该结点的I-V特性具有指数特性和明显的非线性。另一方面，FET特性受施加到反向偏置PN结二极管上电压的控制（栅极-源极结）。FET的I-V特性满足平方律，因此，本身就比BJT更具有线性。
　　对低电源电流器件而言，电路中的晶体管经过偏置后，电流远低于其峰值fT集电极电流。虽然IC构建所用的工艺涉及的器件fT可达几百MHz，但是晶体管在低电流水平下工作时，电荷跃迁时间会增加。采用的阻抗水平也使这些器件中的RFI整流变得更差。在低功耗运算放大器中，阻抗约为几百到几千千欧，而在中等电源电流设计中，阻抗可能不超过几千欧。在这些因素的共同作用下，低功耗器件的RFI整流特性变差。
       
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