ARM总裁：英特尔移动IC工艺技术不占优势

近日，ARM总裁Warren East表示，“英特尔公司在移动IC的生产工艺上不占优势。”

“去年这个时候英特尔阵营为他们的制造优势做出很多噱头，”East说，“我们一直对此表示怀疑，因为ARM企业系统正研发28nm制程，而英特尔才进行32nm制程的开发,我没看到他们哪里更领先。”

此外，随着Foundries开发周期的缩短，开发速度的加快，英特尔将会发现移动工艺技术的发展将会超出他们的预料。

“我们支持所有的独立研发，”East说道，“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm Fin FET，三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulk CMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”

它使得ARM生态系统有一个庞大的工艺群可以选择。“我没有更好的方法判断哪个工艺比其他工艺更成功，”East说，“我们的方法与工艺无关。”

重要的是，Foundries的工艺与英特尔的方向在14nm制程相交轨。

14nm将是英特尔在更小节点的移动SOC的首要目标，他们或许会将之放到某个首次发布的新工艺IC中。

当问及Foundries是否准备推出下一代更小节点移动SOC，East回复说，”这也是我们想要从Foundries那知道的信息。“

Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET，与英特尔开始生产14nm Fin FET的计划处于同一时间。

事实上，GF的14nm工艺可能比英特尔的更小，Global Foundries的高级副总裁Mojy Chian说：“因为英特尔的术语库与开发界使用的术语库不匹配。比如，在back-endmetal lisation方面英特尔的22nm制程与开发界的28nm制程，英特尔22nm制程的设计规则和间距与代工厂的28nm制程的差异。