ARM总裁：英特尔移动IC工艺技术不占优势(二)

意法半导体公司的技术总监Jean-Marc Chery指出，英特尔22nm制程的栅极长度实际是26nm。

此外，英特尔三角形散热片不具Fin FET工艺优势，落后于能优化FinFET晶体管的GF矩形散热片。

Chian说，移动SOC将放于在GF14NM Fin FET节点的前面。自2009年以来GF一直与ARM合作优化其基于ARM的SOC工艺。

TSMC预计于明年底推出第一个16nm Fin FET工艺。该测试芯片将使用ARM64位V8处理器。

使用ARM处理器验证其16nm Fin FET工艺将给予TSMC基于ARM的SOC客户群极大信心。

当问及FinFET如何影响基于ARM的SOC时，East回答：“答案非常简单。问题是它是否在可接受成本范围内产生收益?你不能劳而不获。它的制造成本是多少?有多大产出呢?显而易见，这些都影响成本。”

当问及ARM推进服务器市场的进展状况时，East回复：“目前为止，进展良好。你现在可以购买使用了Calxeda芯片(基于ARM内核)的波士顿贻贝服务器。我们对这款产品非常看好。在计算机性能的稳定水平上，节能和节省空间的数据出人意料。”

“目前，服务器基于专为智能手机设计的Cortex A9构架，”East补充道：“将应用A15的服务器会更胜一筹，我们为所发生的一切感到非常高兴。”

当问及上周五的大事件(即使用ARM构架处理器的Windows 8将ARM版Windows笔记本电脑和平板电脑推出入店)时，East回答说：“这不会引起任何大的惊喜--它只是出现了而已。”

在第三季度闪亮出场获得营收增长18%和盈利增长22%的成就后，ARM期望看到第四季度也有骄人市场业绩。