三星将推big.little技术八核处理器

三星将在明年二月的国际电子电路研讨会(ISSCC)中，展示采用ARM big.little概念的移动应用处理器。

这是少数将在该会议大披露的新款微处理器，但包括英特尔的Haswell和Nvidia的丹佛计划(Project Denver)，都很明显地缺席。不过，英特尔和Nvidia都将就新的芯片到芯片连接提出最新论文，展示他们对未来处理器的规划。

这种基于28纳米的八核ARM处理器将会由两部分组成：第一部分为1.8GHz主频的、四核Cortex-A15处理器，用来应付繁重的计算任务，如游戏、强度运算等，突出性能；；第二部分为1.2GHz主频的、四核Cortex-A7处理器，用来应对待机等较轻量级的任务。如浏览网页、听音乐等，注重功耗。

该芯片与ARM所提出之采用32位A15和A7核心的big.little 架构相同。今年10月时，ARM曾表示这种方法提供了比预期还要高的效益，未来将广泛应用在智能手机中。

Linley Group资深分析师Kevin Krewell表示，三星将推出首款big.little处理器。A7核心应该能处理大多数智能手机的任务，而A15核心则处理需要高性能的需求，如游戏。

而其他如高通(Qualcomm)、Nvidia和其他预计2013年推出，将与英特尔22nm Haswell在平板市场竞争的处理器则并未计划在ISSCC上披露。根据过去经验，英特尔在会议上提出的论文向来与处理器无关。

不过，这家x86巨擘将描述一款频宽达1Tb的可扩展64通道芯片到芯片互连。该链路使用多个2~16Gb/s通道，运行在0.8~2.6 pJ /bit，采用32nm CMOS制程，总线功耗为2.6W。

这篇文章介绍了英特尔研究院(Intel Labs)的研究成果。英特尔实验室资深首席工程师Bryan Casper表示，该论文描述了使用Samtec的micro-twinax线路，以及Ardent Concepts的连接器来连接Tb/s等级的芯片，否则功耗可能会拉升至20W。

Casper表示，直径1到2mm的线束将是“我们在跨越移动和服务器应用时，向前迈进的重要技术。次pJ /bit I/O非常重要，因为这是快速开启和关闭I/O连接的关键。”

Nvidia将描述一款20Gb/s的串列芯片到芯片28nm CMOS，它采用0.9V电源，电源效率0.54pJ/b。这项互连技术可能会与Nvidia的丹佛计划整合，也可能应用在从笔电到超级本等所有ARM和图形核心处理器系列中。

此外，中国科学院计算技术研究所(ICT)将提出新版龙芯3B处理器(Godson 3B)，该元件采用32nm。在此之前，ICT展示过八核心65nm CPU，并建议直接跨越到32nm。

在ISSCC上，工程师将详细介绍Godson-3B1500，这是一款32nm high-K金属栅极元件，在1.35 GHz、40W条件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗条件下，新处理器性能较65nm版本的128 Gflops有显著提升，这主要归功于新制、架构和电路的改良。

在其他论文中，德州仪器(TI)和麻省理工学院(MIT)将提出一款200MHz的图像解码器，可符合高效影像编码标准，提供每秒249M像素性能。它支持3,840 × 2,160像素分辨率，在0.9V时耗电76mW。

瑞萨(Renesas)将描述一款整合手机芯片，其中包含28nm双核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA + 基频数据机处理器、绘图加速器和电源管理单元。AMD, IBM和甲骨文(Oracle)则将分别就其Jaguar, zSeries 和Sparc T5发表论文。