2013年半导体先进制程布局

半导体先进制程布局在28nm阶段被炒热，主要是受惠通讯晶片对于省电、高效能的要求，使得28nm需求旺盛。2012年仅台积电有产能，但仍无法满足大客户需求，到2013年初，台积电28nm制程的产能已扩增倍数，目前单月产能约7万片12寸晶圆。

台积电28nm产能开出之际，同业也积极拉升28nm良率，以卡位第二供应商策略进入战场，日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已抢下高通(Qualcomm)、联发科等订单。

在28nm制程以下是20nm制程，但部分客户转进意愿不高，因为20nm制程技术仍是停留在平面式电晶体的设计，成本下降速度不及增加的投资金额，因此宁愿暂时以28nm为主，之后在转进3D架构电晶体FinFET技术。

FinFET技术最早是英特尔(Intel)在22nm制程导入，未来14nm也会延续，台积电计划在16nm制程导入FinFET技术、GlobalFoundries在14nm制程导入、三星电子则预计从14nm导入FinFET技术，联电的FinFET技术从计划从20nm切入，会与IBM合作加速其进度。

日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已抢下高通(Qualcomm)、联发科等订单。